スイス連邦工科大学の研究により、次世代半導体開発の障壁として『ファンデルワールスギャップ』が浮上しています。二次元材料と絶縁層の間に生じるわずか0.14ナノメートルの隙間が、デバイスのさらなる小型化を妨げる物理的制約になる可能性があります。このギャップは電子のトンネル漏れを抑える一方で、ゲート制御の効率を下げる余分な低誘電率層としても機能します。

研究チームは、この隙間によって等価酸化膜厚（EOT）が約0.27nm増加すると指摘しています。これは原子レベルでは微小な差ですが、極限まで薄くする必要がある半導体技術では決定的な影響です。材料自体の性能が高くても、界面の物理的構造が限界を生むことになります。

これを解決する案として、研究チームは『ファスナー材料』の導入を提案しています。これは二次元材料と絶縁層をファンデルワールス力ではなく、互いにかみ合うように強く結合させることで、隙間そのものを排除するアプローチです。この発見は、半導体開発における材料選定の指針に変化をもたらす可能性があります。