2026年5月，深度參與台積電3奈米製程研發的華裔科學家達博，辭去日本國家材料科學研究所的永久職位，率領整支核心研發團隊返國，受聘於中國科學技術大學（中科大）。達博畢業於中科大，後在日本深耕半導體材料與設備研發逾十年，主攻刻蝕設備、電子束檢測、關鍵材料與精密零組件，正是先進製程中長期受制於海外的底層技術環節。

日本研究所曾以加薪、擴充實驗室與延長終身合約等方式挽留，全球半導體設備巨頭泛林集團（Lam Research）也追加科研捐贈，但達博團隊仍決心歸國。此舉被業界視為戰略級補強，將大幅縮短中國在3奈米以下先進製程的技術摸索期。

專家分析，達博團隊帶來的不僅是個人才華，更是一套完整、成熟且已通過量產驗證的技術體系。未來若能順利落地轉化，有望在3至5年內推動中國半導體設備與材料自主化取得突破性進展，進一步逼近國際頂尖水準。