Technologia, która łączy szybkość i chłód, daje trochę wspólnego kontekstu koledze, który śledzi postępy w AI i elektronice.
Pamięć 1000× szybsza niż DRAM Przebieg historii i kluczowe fakty
Zespół naukowców z University of Tokyo opracował eksperymentalny przełącznik magnetyczny oparty na materiale Mn₃Sn, który może stanowić podstawę nowej generacji pamięci komputerowych. Technologia wykorzystuje spintronikę — zjawisko wykorzystujące własności magnetyczne elektronów — co pozwala na zmianę stanu w zaledwie 40 pikosekund, bez konieczności podgrzewania materiału. To oznacza potencjalnie tysiąc razy szybsze działanie niż obecne pamięci DRAM i jednocześnie brak generowania ciepła, co jest kluczowe dla centrum danych i systemów AI.
Fakty
- Naukowcy z University of Tokyo zademonstrowali przełącznik magnetyczny działający w 40 pikosekund.
- Technologia oparta na materiale Mn₃Sn nie grzeje się i nie traci danych po odcięciu zasilania.
- Badanie opublikowano w czasopiśmie Science pod kierunkiem Hanshena Tsaia, Takuyi Matsudy i Satoru Nakatsujiego.
- Zmiana stanu magnetycznego wywoływana jest impulsem elektrycznym lub fotoprądem z lasera telekomunikacyjnego.
- Obecnie układ działa tylko w warunkach laboratoryjnych i wymaga zewnętrznego pola magnetycznego.
Wizualne wyjaśnienie wiadomości od Canto. Narzędzia AI mogą pomagać w produkcji. Polityka redakcyjna
