在三星與SK海力士相繼推遲第十代NAND快閃記憶體量產時程之際，日本鎧俠（Kioxia）已率先啟動其BiCS10 3D NAND的量產計畫，目標鎖定2026年5月至2027年3月之間。這款新一代記憶體採用高達332層的存儲單元堆疊架構，相比前一代BiCS8的218層提升約52%，位元密度增加59%，技術領先市場。配合Toggle DDR 6.0介面標準，I/O傳輸速率從3.6Gbps提升至4.8Gbps，同時在功耗表現上也有優化，輸入功耗降低10%，輸出功耗更減少34%。在儲存容量方面，單顆晶片可達2Tb，滿足高階裝置對大容量與高效能的需求。

鎧俠此次技術推進沿用CMOS直接鍵合陣列（CBA）架構，將邏輯電路與記憶體陣列分開製造後再鍵合，無需依賴更複雜的PLC設計，便能兼顧密度與可靠性。量產任務主要由位於日本岩手縣北上市的K2新工廠承擔，該廠專為高層堆疊NAND設計，可大幅降低資本支出。然而，鎧俠目前尚未收到大規模確認訂單，實際出貨規模與投資輪廓預計要到2026年下半年才會明朗，量產與市場接單之間的落差仍是最大不確定因素。