Истраживачи са Токијског института науке развили су револуционарни меморијски чип који постаје ефикаснији што се више смањује — директно изазивајући традиционална правила минијатуризације у електроници. Уместо да се боре са губицима струје на наноскали, тим је искористио хемијска својства хафнијум оксида, материјала који задржава фероелектрична својства чак и на екстремно малим димензијама. Кључни тренутак је био прелазак на полукружни облик електрода, што је довело до кристалне структуре са минималним бројем граница и драстично смањеним губицима енергије.