Die Entwicklung der nächsten Generation von Arbeitsspeicher, DDR6, hat nach Berichten aus Südkorea bereits begonnen. Obwohl noch keine offizielle JEDEC-Spezifikation vorliegt, arbeiten Speicherhersteller wie Samsung, SK Hynix und Micron gemeinsam mit Leiterplattenproduzenten an den technischen Grundlagen. Ziel ist eine deutliche Steigerung der Übertragungsrate – auf bis zu 17,6 Gbps, mit späteren Varianten bis 21 Gbps. Diese Geschwindigkeitserhöhung bringt jedoch neue Herausforderungen bei der Signalintegrität mit sich, was komplexere und teurere Leiterplatten (PCB) erforderlich macht.

Laut Branchenquellen beginnen Speicher- und PCB-Hersteller normalerweise mehr als zwei Jahre vor Markteinführung mit der gemeinsamen Entwicklung. Angesichts dieser Zeitspanne wird ein Markteintritt von DDR6 frühestens 2028 oder 2029 erwartet. SK Hynix hatte in einer Roadmap aus dem Jahr 2025 den Start von DDR6 sogar erst ab 2029 angekündigt. Die endgültige Markteinführung hängt auch von der Nachfragesituation ab – besonders im Bereich künstliche Intelligenz, wo hoher Speicherbedarf herrscht.

Trotz der laufenden Entwicklungen gibt es von JEDEC, dem Standardisierungsgremium, bisher keine finale Spezifikation 1.0. Zwar wurden 2024 erste Entwürfe für DDR6 und LPDDR6 erstellt, doch die geplante Veröffentlichung im zweiten Quartal 2025 blieb aus. Wichtige Parameter wie Moduldicke und Anzahl der I/O-Kontakte sind noch nicht festgelegt. Die Speicherhersteller und ihre Partner müssen diese Details erst im Entwicklungsprozess klären, bevor die Norm endgültig verabschiedet werden kann.